Nowe kości Samsunga

Samsung proponuje 24 gigabajty na sekundę

3 grudnia 2007, 12:13

Samsung Electronics jest autorem najbardziej wydajnych pamięci dla układów graficznych. Pojedynczy kanał wejścia-wyjścia 512-megabitowej kości GDDR5 przesyła dane z prędkością 6 gigabitów na sekundę.



Szafir

Zaglądając do wnętrza szafiru

25 listopada 2010, 21:59

Dla jednych bezcenny materiał na biżuterię i źródło estetycznych zachwytów, dla innych świetny materiał na wytrzymałe elementy maszyn, dla jeszcze innych okazja do zbadania i poszerzenia swojej wiedzy. Szafir. Jeden z najcenniejszych i najpiękniejszych kamieni szlachetnych.


Lasery bojowe to już rzeczywistość

4 września 2008, 11:37

Broń laserowa może trafić na pola bitwy znacznie szybciej, niż się tego spodziewamy. Firma Northrop Grumman, poinformowała Pentagon, że do końca bieżącego roku przygotuje bojowe lasery elektryczne.


Zdalnie zasilane implanty w krwioobiegu

24 lutego 2012, 10:12

Podczas International Solid-State Circuits Conference uczeni z Uniwersytetu Stanforda zaprezentowali niewielki implant, zdolny do kontrolowania swej trasy w układzie krwionośnym człowieka. Ada Poon i jej koledzy stworzyli urządzenie zasilane za pomocą fal radiowych. Implant można więc wprowadzić do organizmu człowieka, kontrolować jego trasę i nie obawiać się, że np. wyczerpią się baterie.


Samsung przedstawia napęd SSD dla Windows Visty

26 lipca 2006, 13:41

Samsung przygotował na potrzeby systemu Windows Vista pamięci masowe typu SSD (solid state disk) o pojemności 4 gigabajtów. Tego typu urządzenia będą wykorzystywane równolegle z tradycyjnymi dyskami twardymi. SSD Samsunga zostało zbudowane z szybkich pamięci flash typu NAND. Ich zastosowanie pozwoli na zwiększenie wydajności całego systemu dzięki przyspieszeniu operacji wejścia/wyjścia w Windows Vista.


Pierwszy półterabajtowy SSD

18 grudnia 2008, 15:17

W przyszłym miesiącu, podczas targów Consumer Electronics Show (CES) Toshiba pokaże dysk SSD (solid-state drive) o pojemności 512 gigabajtów. Tym samym technologia SSD przekroczy granicę pół terabajta i zbliży się do pojemności tradycyjnych mechanicznych dysków twardych.


Wnętrze nanorurki

Powstał najbardziej skomplikowany obwód elektroniczny z nanorurek

27 lutego 2013, 19:11

Podczas ubiegłotygodniowej International Solid-State Circuits Conference naukowcy z Uniwersytetu Stanforda zaprezentowali najbardziej skomplikowany obwód scalony wykonany z węglowych nanorurek. Obwód przekładał sygnał analogowy z kondensatora na sygnał cyfrowy, który trafiał do mikroprocesora


Nie kręcą się

15 września 2006, 10:40

Korporacja TDK zaprojektowała najmniejszy w swojej klasie dysk twardy, w którym nie zastosowano elementów mechanicznych. Urządzenie bazuje bowiem na pamięciach NAND flash.


SanDisk prezentuje przełomowe pamięci flash

12 lutego 2009, 17:41

Podczas International Solid State Circuits Conference San Disk zaprezentował wyjątkowo gęste pamięci flash. Firma w pojedynczej komórce upakowała cztery bity, podczas gdy w obecnie wykorzystywanych kościach znajdują się 1-2 bitów.


Inżynier IBM-a sprawdza 300-milimetrowy plaster z układami CMOS© IBM

Intel nie widzi problemu

23 lutego 2015, 13:14

Przedstawiciele Intela uważają, że Prawo Moore'a będzie obowiązywało jeszcze przez kilka kolejnych lat. Podczas zbliżającej się International Solid-State Circuits Conference zaprezentują oni kilka odczytów dotyczących przyszłego rozwoju półprzewodników. Już teraz zdradzili, że ich zdaniem technologia 7 nm (która ma zadebiutować w 2018 roku), nie będzie wymagała wykorzystania dalekiego ultrafioletu.


Zostań Patronem

Od 2006 roku popularyzujemy naukę. Chcemy się rozwijać i dostarczać naszym Czytelnikom jeszcze więcej atrakcyjnych treści wysokiej jakości. Dlatego postanowiliśmy poprosić o wsparcie. Zostań naszym Patronem i pomóż nam rozwijać KopalnięWiedzy.

Patronite

Patroni KopalniWiedzy